De acordo com uma reportagem do MIT Technology Review, a ASML detém hoje cerca de 90% de todas as ferramentas de litografia de chips do mundo — uma dominância que começa a incomodar governos e atrair concorrentes dispostos a desafiar sua supremacia. A era da IA exige chips cada vez mais rápidos, e as máquinas da empresa são o gargalo incontornável desse ecossistema.

Enquanto a ASML consolida sua posição, outra frente de atrito com Washington ganhou corpo nos últimos dias. A Anthropic, empresa de inteligência artificial, revelou que construiu um modelo chamado Mythos com potencial de representar riscos de cibersegurança e, por isso, lançou uma versão mais segura, batizada de Fable. Horas depois, o governo dos Estados Unidos impôs controles de exportação sobre ambos os modelos, levando a Anthropic a revogar o acesso a eles de forma imediata.

A intervenção surpreendeu analistas: o alvo não era uma suposta arma biológica ou uma IA descontrolada, mas sim um modelo de codificação. A resposta do governo americano, até agora, se assemelha menos a um plano de segurança amadurecido e mais a uma política reativa que expõe a pressa de manter o controle sobre tecnologias estratégicas. A decisão acendeu um debate sobre até que ponto os interesses geopolíticos estão moldando a regulamentação da inteligência artificial.

Paralelamente, a Meta suspendeu temporariamente um programa de treinamento de IA que monitorava as teclas e os movimentos do mouse de seus funcionários. A pausa veio depois que dados sensíveis foram vazados, reacendendo discussões sobre a vigilância corporativa travestida de inovação. O episódio ilustra como grandes plataformas ocidentais avançam sobre a privacidade de seus próprios times enquanto pregam padrões éticos para o resto do mundo.

A confluência desses eventos expõe uma realidade incômoda: a batalha pelos chips e pela inteligência artificial deixou de ser apenas uma corrida tecnológica para se tornar um tabuleiro de força geopolítica. Enquanto a ASML mantém a dianteira com equipamentos que nenhum concorrente conseguiu replicar em escala, Washington tenta impor barreiras de exportação que podem isolar ainda mais os Estados Unidos de parceiros globais. A era da litografia extrema e dos modelos de linguagem avançados caminha lado a lado com sanções, controles e uma disputa que não dá sinais de arrefecimento.

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Segundo reportagem da agência Reuters, repercutida pelo portal RT, a alfândega chinesa passou a exigir que compradores estrangeiros revelem dados detalhados dos usuários finais de suas aquisições. A medida foi confirmada por um comprador europeu e por fontes do setor, que descreveram a situação como “tensa”.

O índio é um subproduto do refino de zinco e seu uso principal sempre esteve voltado para a fabricação de telas sensíveis ao toque e soldaduras de precisão. Contudo, o elemento ganhou status estratégico com a explosão dos data centers de nova geração. Ele é insubstituível na produção de chips ópticos de alta velocidade, que atuam como o sistema nervoso das infraestruturas de inteligência artificial, permitindo a transmissão massiva e ultrarrápida de dados.

A China detém o controle de aproximadamente 70% da produção mundial desse metal. Embora o índio ainda não conste oficialmente na lista de controle de exportações de tecnologia de uso dual de Pequim, os procedimentos de revisão aduaneira deixaram de ser automáticos. Um grande comprador da América do Norte relatou que o tempo de aprovação para as cargas passou de um dia para vários dias — um claro movimento de estrangulamento da oferta por vias administrativas.

A indústria global de semicondutores acompanha a situação com grande apreensão. O temor entre os analistas é que essa fiscalização rigorosa sirva como prelúdio para restrições ainda mais severas ou até mesmo proibições formais de exportação, especialmente se a guerra tecnológica com os Estados Unidos continuar a escalar. Nos círculos estratégicos americanos, a dependência do índio chinês é há muito tempo classificada como uma vulnerabilidade crítica.

Como resultado dessa assimetria mineral, Washington já traça planos de contingência para acumular reservas estratégicas, com objetivo de chegar a um estoque de segurança de até 403 toneladas do material — numa tentativa de blindar seu setor de defesa e tecnologia contra um possível embargo total. A incerteza sobre o fornecimento futuro adiciona uma camada geopolítica inédita ao mercado de matérias-primas para IA.

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Esta conquista, que não apenas resolve um mistério que perdurava por 25 anos, transcende a mera proeza de miniaturização. Ela representa a confirmação experimental decisiva de que as leis da eletrônica e da física de materiais se transfiguram dramaticamente quando os limites são levados a escalas atômicas. A própria tessitura da realidade material adquire novos contornos em um reino onde a intuição macroscópica se dissolve.

O portal The Times of India detalhou as ramificações intrincadas desta pesquisa, que teve de confrontar a instabilidade inerente a tais estruturas. Desde a efervescência científica dos anos 1990, modelos matemáticos de alta complexidade insistiam que, à medida que os nanotubos de semicondutores inorgânicos encolhessem para dimensões singulares, sua banda proibida — a lacuna energética crucial que dita a condutividade elétrica de um material — sofreria um colapso mensurável e paradoxal. O grande dilema, contudo, residia na dificuldade monumental de fabricar algo tão diminuto sem que sua estrutura se desintegrasse antes que qualquer medição pudesse ser efetuada. Métodos convencionais, por sua vez, raramente produziam tubos com menos de 10 nanômetros, invariavelmente maculados por múltiplas paredes e imperfeições estruturais.

A equipe de pesquisadores, sob a sagaz liderança do professor associado Yusuke Nakanishi, do Departamento de Materiais Avançados em Kashiwa, na Universidade de Tóquio, concebeu uma estratégia de precisão quase esotérica. Eles empregaram nanotubos de nitreto de boro como intrincados moldes protetores externos, arquitetando espaços confinados onde os átomos de MoS₂ puderam se organizar, com uma harmonia impressionante, em tubos de parede única perfeitamente ordenados. Essa casca isolante de nitreto de boro funcionou como um invólucro estabilizador, uma barreira quântica que impediu que a curvatura extrema — e a consequente tensão estrutural — destruísse a delicada arquitetura atômica em sua gênese.

‘Nós alcançamos a síntese de nanotubos semicondutores atomicamente precisos com diâmetros nanométricos, uma meta que antes parecia inalcançável’, afirmou Nakanishi, ressaltando o feito. ‘Esses nanotubos, forjados com tamanha precisão, são inequivocamente identificados como uma plataforma ideal para os canais de transistores em nanoescala, prometendo revolucionar a eletrônica’. Análises meticulosas por microscopia eletrônica avançada e mapeamento químico revelaram arranjos atômicos de definição excepcional, confirmando que a nova arquitetura preserva um canal semicondutor de pureza singular, completamente isento da dependência de múltiplas camadas concêntricas ou suportes internos que inevitavelmente degradariam o desempenho almejado.

As medições eletrônicas subsequentes, realizadas com rigor científico, finalmente deram plena razão aos teóricos de outrora, cujas predições aguardavam validação por décadas. A banda proibida dos nanotubos, conforme o diâmetro da estrutura encolhia para seu limite nanométrico, de fato diminuiu, um efeito que pesquisas seminais nos anos 2000 e 2002 apenas haviam ousado calcular em um plano abstrato. O resultado esmaga o ceticismo que pairava sobre a comunidade científica e oferece um trampolim substancial para a edificação de uma nova geração de dispositivos eletrônicos ultracompactos, onde imperfeições estruturais — o grande gargalo que atualmente assola a tecnologia do silício — podem ser domadas com um controle atômico sem precedentes.

A importância tectônica deste avanço ecoa diretamente nas ambições insaciáveis da indústria de semicondutores global. Em um cenário onde os transistores de silício se aproximam perigosamente de seus limites físicos intransponíveis, engenheiros e cientistas correm contra o tempo em uma busca frenética por materiais alternativos que consigam manter um comportamento eletrônico previsível e robusto em escalas cada vez mais diminutas. Os nanotubos coaxiais de MoS₂ magistralmente envoltos em nitreto de boro fornecem um modelo arquitetural de rara elegância que pode inspirar a concepção de transistores gate-all-around, uma das arquiteturas mais avançadas e promissoras em desenvolvimento.

Embora a materialização de dispositivos comerciais baseados nesta tecnologia ainda possa estar a anos de distância, a pesquisa seminal da Universidade de Tóquio estabelece um roteiro viável e audacioso para estender a venerável Lei de Moore por caminhos até então inexplorados e imaginativos. Historicamente, o campo dos fulerenos e nanotubos evoluiu de forma significativa desde o primeiro crescimento de fulerenos inorgânicos aninhados de MoS₂ em 1995. Propriedades supercondutoras foram surpreendentemente descobertas em 2017 e um efeito fotovoltaico aprimorado emergiu em nanotubos de dissulfeto de tungstênio em 2019, expandindo o horizonte de possibilidades.

Contudo, o anseio primordial de fabricar tubos de parede única com diâmetro mínimo permanecia insatisfeito, considerado amplamente instável ou inacessível devido à tensão estrutural inerente a tais geometrias. A cartada genial do nitreto de boro dissolveu essa barreira que parecia intransponível, demonstrando que reações químicas espacialmente confinadas oferecem uma rota de estabilidade que antes era considerada absurda. Trata-se de um portal dimensional aberto para a matéria.

As consequências deste avanço transcendem em muito as fronteiras do silício. A abordagem inovadora pode ser estendida a uma plêiade de materiais magnéticos, supercondutores e outras substâncias inorgânicas exóticas, ampliando exponencialmente o território da ciência dos nanotubos para muito além dos sistemas baseados em carbono. O que começou como um cálculo matemático abstrato, quase uma especulação filosófica há mais de um quarto de século, agora pode ser medido e manipulado diretamente dentro de um tubo de apenas um bilionésimo de metro de largura – uma vitória monumental da imaginação teórica que finalmente se curva à inexorável realidade experimental. O futuro da eletrônica, outrora restrito a paradigmas conhecidos, agora acena com a promessa de uma revolução atômica.

O experimento conduzido em Tóquio não se limita a fabricar um dos menores canais semicondutores já concebidos; ele reescreve uma página que permaneceu por tempo demais ancorada no campo das hipóteses e dos sonhos científicos. A era da eletrônica internamente esculpida átomo por átomo deu um passo decisivo e irrevogável rumo à sua plena materialização, e o rugido sutil, porém profundo, do minúsculo promete ser ensurdecedor em sua magnitude de implicações.

As restrições dos EUA têm limitado o acesso da China a ferramentas avançadas de litografia e outras tecnologias essenciais para a produção de semicondutores. No entanto, a Huawei supera esses obstáculos com inovação própria. A Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), maior produtora mundial de chips avançados, utiliza atualmente tecnologia de 2 nanômetros e planeja introduzir processo de 1,4 nanômetros para produção em massa em 2028.

O avanço da Huawei é notável pelas dificuldades enfrentadas pela China em alcançar níveis tão avançados de fabricação de chips apenas com métodos convencionais. As sanções dos EUA visam restringir o progresso tecnológico chinês, mas a empresa demonstra resiliência e capacidade de inovação.

A revelação deste desenvolvimento destaca o empenho da Huawei em manter sua posição competitiva no mercado global de tecnologia. a empresa continua a desafiar as limitações impostas pelo cenário geopolítico atual, impulsionando a soberania tecnológica da China.

Ao contrário do efeito Hall clássico, o NLHE não depende de campos magnéticos para gerar uma voltagem perpendicular à corrente aplicada. Essa propriedade permite transformar energia de transmissões sem fio ou fontes ambientais em eletricidade utilizável, dispensando diodos e componentes volumosos.

Liderada pelo professor Dongchen Qi, da Escola de Química e Física da Queensland University of Technology (QUT) na Austrália, e pelo professor Xiao Renshaw Wang, da Nanyang Technological University em Singapura, a pesquisa mergulhou nos segredos de um material topológico de alta qualidade. Segundo reportou o ScienceDaily, o estudo foi publicado na revista Newton em 4 de junho de 2026.

Os experimentos demonstraram que a temperatura desempenha um papel determinante na magnitude e na direção da voltagem gerada pelo material. Em temperaturas mais baixas, imperfeições microscópicas na estrutura cristalina exercem a maior influência sobre o efeito quântico. À medida que o calor aumenta, vibrações atômicas naturais passam a dominar a resposta do material, provocando uma inversão na direção do sinal elétrico produzido.

Essa descoberta revela um mecanismo inédito de sintonia, dando aos cientistas uma nova ferramenta para projetar dispositivos que se adaptem às condições do ambiente. O professor Qi destacou que, uma vez compreendido o que ocorre no interior do material, é possível projetar dispositivos que aproveitem ativamente esses fenômenos. Assim, os efeitos quânticos deixam de ser abstrações e se tornam a base de tecnologias como sensores autossuficientes, wearables e componentes ultrarrápidos para redes sem fio de próxima geração.

A pesquisa aponta para um futuro onde dispositivos minúsculos possam operar por longos períodos sem recarga, extraindo energia de sinais Wi-Fi, ondas de rádio ou até mesmo do calor residual. Esse avanço pode reduzir drasticamente a dependência de baterias convencionais, cuja produção consome recursos minerais escassos e gera lixo eletrônico. O efeito Hall tradicional, descoberto em 1879, depende de um campo magnético externo para gerar uma tensão transversal; já o efeito Hall não linear elimina essa exigência, operando de forma mais elegante.

Na física da matéria condensada, essa propriedade é considerada um tesouro escondido, mas as condições para sua manifestação prática ainda intrigavam os pesquisadores. A equipe utilizou o telureto de bismuto (Bi2Te3), um isolante topológico conhecido por suas exóticas propriedades eletrônicas, onde elétrons se comportam como se estivessem em um filme fino na superfície do material. Ao estudar como os elétrons interagem com imperfeições e vibrações, os cientistas desvendaram a dança quântica que controla o sinal de saída.

Ao elevar a temperatura, os fônons — vibrações coletivas dos átomos — começaram a influenciar mais fortemente a corrente, revertendo a polaridade do sinal. Essa transição, antes desconhecida, oferece um interruptor térmico natural, abrindo caminho para dispositivos adaptativos que respondem ao próprio calor do ambiente. Imagine sensores implantados no corpo que se alimentam das ondas de rádio ao redor, ou etiquetas inteligentes em supermercados que funcionam sem pilhas, recarregando-se com a luz ambiente.

O NLHE pode ser a chave para uma internet das coisas verdadeiramente independente, onde a energia está disponível em toda parte, como um oceano invisível. A colaboração entre Austrália e Singapura ilustra como centros de pesquisa no Sul Global e na Ásia-Pacífico estão na vanguarda da inovação quântica, desafiando a histórica hegemonia ocidental no setor. O desenvolvimento de materiais topológicos pode reforçar a soberania tecnológica de nações emergentes, reduzindo a dependência de cadeias de suprimentos controladas por potências estabelecidas.

O reino quântico, frequentemente tido como abstrato e distante, começa a moldar os contornos de uma civilização elétrica sem fios. À medida que os laboratórios desvendam esses segredos, o sonho de dispositivos eternamente vivos deixa de ser ficção e se aproxima da realidade palpável. Este avanço promete revolucionar a forma como pensamos em energia e dispositivos eletrônicos, abrindo portas para inovações que, até pouco tempo atrás, pareciam apenas frutos da imaginação.

Segundo o portal Phys.org, o avanço foi publicado na revista Laser & Photonics Reviews e tem potencial para acelerar o desenvolvimento de lentes mais finas para câmeras e óculos, além de impulsionar a comunicação entre computadores quânticos. Philippe Tassin, professor do Departamento de Física e Astronomia da Chalmers, explicou que o desempenho da rede disparou depois que ela recebeu noções básicas das leis da física.

Quando fornecemos ao supercérebro informações sobre as leis da física, ele ficou imediatamente muito mais inteligente, afirmou Tassin, destacando que os cálculos agora consomem um décimo do tempo que antes levavam. O grupo liderado por Tassin investiga cristais fotônicos artificiais que podem manipular a luz em escalas menores que um comprimento de onda, contornando as limitações dos materiais ópticos naturais.

No campo da computação quântica, a equipe trabalha em conjunto com o Departamento de Microtecnologia e Nanociência da Chalmers, onde está sendo construído o primeiro computador quântico de maior porte da Suécia. A ideia é projetar materiais nanoestruturados capazes de controlar o tráfego da luz e transmitir informações entre processadores quânticos usando frequências ópticas e cristais fotônicos mecanicamente complacentes.

Todo o trabalho é realizado por simulações em supercomputadores, nas quais o aprendizado de máquina e as redes neurais atuam como ferramenta central para extrair conclusões sobre as propriedades dos materiais. Tassin reconheceu que, apesar de dominar as equações do eletromagnetismo, ele não consegue deduzir sozinho as propriedades de um material apenas observando sua estrutura, algo que a rede neural realiza com extrema velocidade.

O desafio histórico era o tempo de alimentação de dados: gerar um único ponto podia levar de dez minutos a uma hora, e os pesquisadores frequentemente precisavam de até 40 mil simulações. Viktor Lilja, doutorando do mesmo departamento, contou que o processo completo de treinamento da rede costumava consumir um mês inteiro, e qualquer ajuste posterior custava mais um mês adicional.

Agora, com a injeção de conhecimento físico prévio, o que exigia trinta dias passou a ser feito em apenas três. O segredo está em ensinar a rede a respeitar as leis do eletromagnetismo desde o início, em vez de forçá-la a redescobri-las a cada ciclo de treinamento. A ideia surgiu quando os cientistas tentavam tornar as previsões da rede mais interpretáveis para humanos, baseando-as em equações conhecidas.

Para surpresa da equipe, a abordagem não apenas aumentou a transparência como também tornou o modelo automaticamente mais eficiente e menos dependente de grandes volumes de dados. Lilja ressaltou que, uma vez treinada, a rede consegue examinar qualquer estrutura e devolver suas propriedades ópticas em apenas um milissegundo, com estimativas mais precisas e menor risco de erros grosseiros.

Para Tassin, a principal vantagem está na economia de tempo: a capacidade de trabalhar muito mais rápido permitirá acelerar o ciclo de desenvolvimento de componentes ópticos de forma expressiva. A pesquisa, financiada na Suécia, insere-se em um cenário global de competição tecnológica em que dispositivos fotônicos cada vez mais sofisticados são vitais para as telecomunicações e para a indústria de semicondutores.

Os materiais quânticos operam sob as leis da mecânica quântica que governam interações de muitos corpos, o que os torna candidatos promissores para diversas tecnologias avançadas. Esses materiais frequentemente passam por transições de fase que alteram a forma como os elétrons fluem através deles, e controlar essas transições com precisão é um dos principais desafios da física da matéria condensada. Segundo reportagem do Phys.org, o professor Xiaoyang Zhu, autor sênior do estudo publicado na Physical Review Letters, explicou que o laboratório vinha desenvolvendo técnicas de espectroscopia de bombeio-sonda para obter uma visão no domínio do tempo da matéria quântica moiré.

A fabricação dos dispositivos envolveu o empilhamento de camadas ultrafinas de dissulfeto de tungstênio (WS₂) e disseleneto de tungstênio (WSe₂), com um leve desalinhamento entre elas — a chamada estrutura moiré. Os pesquisadores também incluíram eletrodos de grafite para injeção de carga elétrica, inicialmente pensados apenas para controle eletrostático convencional. Foi justamente o eletrodo de grafite que revelou uma função surpreendente e inesperada.

Durante os experimentos, ao dopar cada dispositivo até um estado metálico e aplicar pulsos de laser de alta potência, a equipe observou assinaturas espectroscópicas características da transição inversa, ou seja, do estado metálico para o estado isolante correlacionado. O próprio Zhu descreveu o achado como uma descoberta fortuita, que emergiu quando elevaram a potência dos pulsos de bombeio.

As análises detalhadas indicaram que o mecanismo por trás dessa transição é a injeção ultrarrápida de buracos fotoexcitados provenientes do eletrodo de grafite para dentro da heteroestrutura moiré. Essa injeção de portadores de carga em escalas de tempo ultrarrápidas oferece um meio eficaz de controlar a densidade eletrônica nas fases quânticas moiré. A capacidade de alternar entre estados condutores e isolantes em velocidades extremamente altas é essencial para o desenvolvimento de memórias quânticas e processadores quânticos baseados em luz.

Os pesquisadores planejam explorar ainda mais essa descoberta para sintonizar outras fases quânticas moiré e investigar estados quânticos ocultos que possam emergir sob condições de excitação extrema. O trabalho também estabelece uma base metodológica para estudos futuros de estruturas de van der Waals com pulsos de laser ultracurtos. A demonstração experimental de uma transição metal-isolante fotoinduzida em materiais 2D representa um avanço significativo para a física de sistemas fortemente correlacionados. O controle preciso sobre o comportamento eletrônico em escalas temporais mínimas pode redefinir os limites da eletrônica quântica e da computação do futuro.

O fenômeno investigado é o Efeito Hall Não Linear, um efeito quântico sofisticado que gera uma voltagem perpendicular a uma corrente alternada aplicada, mesmo sem a presença de um campo magnético. Diferentemente do Efeito Hall clássico, o NLHE consegue converter sinais de corrente alternada diretamente em corrente contínua, exatamente o tipo de eletricidade que os aparelhos eletrônicos precisam para funcionar.

Os experimentos da equipe mostraram que o efeito permanece estável mesmo em temperatura ambiente, um passo crucial para que a tecnologia saia do laboratório e chegue a aplicações práticas no mundo real. O material utilizado foi um isolante topológico de alta qualidade, o telureto de bismuto, conhecido por seu comportamento eletrônico incomum e promissor para dispositivos quânticos.

A grande revelação do estudo, publicado na revista Nature, foi o papel que as imperfeições microscópicas e as vibrações atômicas desempenham no controle do efeito. Em temperaturas mais baixas, são os minúsculos defeitos na estrutura do material que exercem a maior influência sobre a voltagem gerada pelo fenômeno quântico.

Conforme a temperatura aumenta, as vibrações naturais da rede cristalina do material passam a dominar, fazendo com que a direção do sinal elétrico se inverta completamente. Essa inversão revelou um mecanismo até então desconhecido para sintonizar e controlar o desempenho de dispositivos baseados no Efeito Hall Não Linear.

Segundo o professor Qi, compreender o que ocorre no interior do material permite projetar dispositivos que explorem ativamente esse comportamento em vez de apenas observá-lo como uma curiosidade de laboratório. As aplicações potenciais incluem sensores autoalimentados que dispensam baterias, dispositivos vestíveis que capturam energia do ambiente e componentes ultrarrápidos para redes sem fio de próxima geração.

A descoberta abre caminho para uma nova geração de tecnologias energeticamente eficientes, em que os próprios sinais de comunicação sem fio servem simultaneamente como fonte de energia.

Os materiais moiré ganharam relevância científica desde 2018, quando se verificou que camadas de grafeno levemente torcidas exibem supercondutividade. Esse fenômeno ocorre devido a alterações na rede atômica causadas pelo desalinhamento, modificando o comportamento dos elétrons e gerando propriedades quânticas de interesse tecnológico.

A criação desses padrões dependia, até então, de processos manuais de rotação e empilhamento de flocos bidimensionais. Esse método artesanal apresentava baixa reprodutibilidade e dificultava a produção industrial, limitando a pesquisa e a aplicação comercial dos materiais moiré, considerados promissores para computação quântica e sensores avançados.

A nova técnica utiliza filmes finos que aplicam tensão controlada sobre camadas de dissulfeto de molibdênio, criando super-redes moiré de forma reprodutível e compatível com os processos de fabricação de semicondutores. Conforme reportagem do phys.org, o método dispensa o empilhamento e a torção, empregando litografia para depositar filmes estressores que deformam localmente as camadas atômicas.

Os filmes estressores, depositados por litografia, puxam e comprimem as camadas superiores do material. Nas bordas dos filmes, a tensão é biaxial, enquanto regiões mais distantes sofrem tensão uniaxial. Essa variação gera geometrias moiré distintas e induz polarização elétrica localizada no dissulfeto de molibdênio, que normalmente não apresenta polarização.

Judy Cha, professora de Ciência e Engenharia de Materiais na Universidade Cornell e diretora da Instalação de Nanoescala de Cornell, explica que a engenharia de tensão já é amplamente utilizada na fabricação de semicondutores. Ela destacou que empresas usam abordagens como ligas de silício-germânio e revestimentos metálicos tensionados para melhorar o desempenho de transistores. A ideia de aplicar essa técnica para gerar efeitos moiré surgiu ao observar que as camadas atômicas superiores se deformam de maneira diferente das inferiores.

A polarização elétrica induzida pode ser controlada por um campo elétrico, permitindo ajustar a resistência elétrica em escala nanométrica. Esse recurso é valioso para a eletrônica quântica. A equipe agora investiga se os domínios polares gerados podem ser incorporados em dispositivos eletrônicos funcionais, aproximando a física moiré das aplicações práticas.

O método reduz significativamente a barreira de entrada para pesquisadores interessados em explorar a física dos materiais moiré, democratizando o acesso a uma área que antes exigia habilidades manuais complexas. Cha afirmou que se trata de um passo de litografia padrão, executado diariamente por fabricantes de dispositivos, reforçando o potencial de escalonamento da técnica.

A integração da criação de super-redes moiré em processos industriais estabelecidos pode acelerar o desenvolvimento de computadores quânticos e sensores com capacidades inéditas. O avanço representa um marco na engenharia de materiais, alinhado às demandas por componentes eletrônicos mais eficientes e de menor consumo energético.

Um grupo de físicos da Universidade de Kobe demonstrou que um padrão elétrico, antes considerado exclusivo de materiais quânticos exóticos, também surge em materiais clássicos comuns. A descoberta, publicada na revista Physical Review B, corrige um equívoco de décadas e amplia o leque de materiais para sensores magnéticos e computação quântica.

O efeito Hall planar é uma técnica que envia corrente elétrica por uma amostra fina e mede a voltagem gerada em resposta a um campo magnético aplicado no mesmo plano. Quando o campo é girado, o padrão da voltagem reflete simetrias da estrutura cristalina do material e suas propriedades eletrônicas.

Em alguns materiais, esse padrão se repete a cada 120 graus, como um triângulo, mesmo sem a simetria rotacional correspondente no cristal. A comunidade científica interpretava essa simetria tripla como sinal de fenômenos quânticos exóticos, inexplicáveis pela teoria clássica do transporte eletrônico.

O físico Fuseya Yuki e sua equipe investigaram essa exceção intrigante. Ele explicou que, em física do estado sólido, leis baseadas em simetrias geralmente se mantêm, mas o problema estudado exigia abordagem diferente.

Segundo reportagem do phys.org, os pesquisadores aplicaram a matemática clássica com maior precisão. Eles demonstraram que, ao estender a teoria de transporte de 70 anos para ordens mais altas, a simetria tripla surge naturalmente, sem necessidade de efeitos quânticos.

O resultado oferece aos físicos uma ferramenta de diagnóstico mais precisa, eliminando falsos positivos na identificação de materiais exóticos. Yamada Akiyoshi, primeiro autor do estudo, afirmou que um fenômeno antes considerado raro pode ocorrer em muitos materiais, revelando um ponto cego na teoria e nos experimentos.

O trabalho estabeleceu as condições para o surgimento do padrão em materiais clássicos. A chave está no alinhamento entre a orientação do cristal e a sonda de medição, que determina a componente tripla e se aplica a diversos materiais.

Yamada acrescentou que a resposta elétrica reflete a simetria de espelho, mais comum que a simetria rotacional. Isso amplia o leque de materiais candidatos, incluindo aqueles abundantes e de fácil fabricação.

Na prática, engenheiros poderão usar materiais mais baratos e acessíveis para construir sensores magnéticos e dispositivos spintrônicos. O estudo não invalida o efeito Hall planar como ferramenta, mas o torna mais confiável.

Ao decifrar regularidades ocultas no fluxo de elétrons, os cientistas extraíram informações microscópicas da estrutura eletrônica a partir de medições macroscópicas. O avanço contribui para pesquisas em materiais de última geração, com base em interpretações mais sólidas.

O artigo completo foi publicado na Physical Review B e está disponível no repositório arXiv. A pesquisa recebeu apoio de instituições japonesas e reforça a importância de revisitar teorias consagradas com técnicas matemáticas modernas.

A AMD apresentou uma estratégia diferenciada na Computex 2026, em Taiwan, ao garantir suporte prolongado para suas plataformas e relançar processadores consagrados. A empresa anunciou que manterá o soquete AM5 compatível com novos processadores Ryzen até 2029, reduzindo a necessidade de trocar placas-mãe.

A decisão alivia consumidores afetados pela alta nos preços de componentes, como memória RAM, durante a crise global que impacta o evento este ano. A medida reforça o compromisso da AMD com a longevidade de seus produtos, contrariando a obsolescência programada do setor.

Entre os lançamentos, destaca-se o retorno do Ryzen 7 5800X3D em edição especial de 10º aniversário da plataforma AM4, com preço de US$ 349 e disponibilidade a partir de 25 de junho. A iniciativa beneficia usuários que ainda utilizam a geração anterior, permitindo upgrades sem substituir todo o sistema.

Para quem planeja migrar para a plataforma AM5, a AMD lançou o Ryzen 7 7700X3D, versão ajustada do consagrado 7800X3D, com preço sugerido de US$ 330. O modelo oferece desempenho próximo ao irmão mais potente, ocupando faixa intermediária entre US$ 380 e US$ 450.

A empresa também expandiu a oferta da placa de vídeo Radeon RX 9070 GRE, antes restrita ao mercado chinês, para os EUA e outros países a partir de 1º de junho. Com preço de US$ 549, a GPU chega como alternativa competitiva, embora abaixo dos valores praticados pela RX 9070 completa.

A estratégia da AMD surge em meio à crise de preços de memória RAM, apelidada de RAMageddon, que transformou componentes em artigos de luxo. A abordagem prioriza a durabilidade das plataformas, oferecendo opções econômicas para jogadores pressionados pela inflação no hardware.

Ao estender o suporte até 2029, a AMD devolve ao consumidor o controle sobre atualizações, sem a pressão de substituir todo o ecossistema a cada nova geração. A decisão reforça a fidelidade dos usuários ao respeitar investimentos já realizados em tecnologia.

Leia mais sobre o assunto na theverge.com.

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A gigante tecnológica chinesa Huawei apresentou uma proposta teórica que pode redefinir os rumos da indústria mundial de semicondutores. A chamada Lei de Escalado Tau (τ), anunciada pela executiva He Tingbo, propõe um novo paradigma para aumentar o rendimento dos chips num momento em que a miniaturização tradicional enfrenta limites físicos e econômicos intransponíveis.

Durante décadas, o progresso da microeletrônica foi impulsionado pela redução contínua do tamanho dos transistores. Essa estratégia agora encontra obstáculos severos de desaceleração geométrica e queda nos benefícios econômicos.

Em vez de focar na diminuição física dos componentes, a empresa chinesa propõe utilizar o tempo de propagação dos sinais — representado pela constante τ — como nova referência mestra. A abordagem visa otimizar o desempenho de dispositivos, circuitos, chips e sistemas completos.

A principal materialização prática dessa ideia é uma arquitetura batizada de LogicFolding, que reorganiza os circuitos para reduzir as rotas críticas de transmissão de sinais. A mudança diminui os efeitos resistivos e capacitivos que prejudicam o rendimento.

Segundo o portal RT, essa abordagem permite melhorar simultaneamente a densidade de transistores e o desempenho dos circuitos. O avanço não depende de novas reduções nas dimensões físicas dos componentes.

O modelo se estende por vários níveis tecnológicos, desde a otimização de transistores e interconexões até o redesenho arquitetônico de circuitos via LogicFolding. Ele também contempla a cootimização de software, arquitetura e silício, além de novos protocolos de interconexão chamados UnifiedBus para reduzir a latência.

He Tingbo destacou que a Huawei já aplica esses princípios em dispositivos móveis e em plataformas de computação para inteligência artificial. Nos últimos seis anos, a empresa projetou e produziu em massa 381 chips baseados na Lei de Escalado τ para diferentes indústrias.

Um dos anúncios de maior impacto foi a confirmação de que os futuros processadores Kirin serão os primeiros a incorporar plenamente a arquitetura LogicFolding. Com lançamento previsto para o segundo semestre de 2026, a Huawei projeta que a tecnologia permitirá um salto expressivo de desempenho.

A empresa também apresentou uma projeção de longo prazo para seus chips de alta gama. Até 2031, eles poderão alcançar uma densidade de transistores equivalente aos processos de fabricação de 1,4 nanômetros.

Trata-se de um marco que, se confirmado, colocaria a China na vanguarda absoluta da miniaturização eletrônica. He Tingbo encerrou sua apresentação com um chamado à cooperação internacional.

A executiva afirmou que nenhuma empresa pode encontrar sozinha todas as respostas para a evolução dos semicondutores. Ela sublinhou que a colaboração entre cientistas, engenheiros e parceiros industriais de todo o mundo será fundamental para garantir o desenvolvimento sustentável do setor.

Leia também: Cientistas chineses e Huawei desenvolvem chip 2D que supera limites do silício

A restrição à exportação do chip H200 pela NVIDIA marca nova fase na guerra tecnológica entre Estados Unidos e China. Semicondutores avançados se transformaram em armas geopolíticas na disputa entre as duas maiores economias do mundo.

A estratégia americana concentra-se em três frentes: diversificação da cadeia de suprimentos, controle de exportação de maquinário especializado e pressão para sufocar o financiamento chinês ao setor. O bloqueio ao acesso chinês à tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV) é o golpe mais contundente.

A empresa holandesa ASML é a única produtora mundial dessa tecnologia. O governo dos Estados Unidos pressionou para restringir suas vendas à China, paralisando a capacidade chinesa de fabricar chips abaixo de 7 nanômetros.

Gigantes como Alibaba e ByteDance foram forçados a buscar fornecedores externos. As indústrias chinesas de inteligência artificial, avaliadas em mais de 175 bilhões de dólares, ficaram desprovidas de seu mercado produtor doméstico.

A manobra enfraquece os fabricantes chineses ao retirar sua principal base de clientes. Também expõe as empresas de IA a vulnerabilidades decorrentes da dependência de fornecedores externos controlados por Washington.

Os Estados Unidos buscam reduzir riscos diversificando o fornecimento de chips para o Vietnã. Removeram controles de exportação para entidades vietnamitas como forma de consolidar cadeias alternativas de suprimentos.

A justificativa oficial para as medidas é prevenir o uso dual dos chips avançados. O argumento encobre a real intenção de manter a hegemonia tecnológica americana diante do avanço chinês em inteligência artificial.

A restrição ao chip H200 chega com condicionantes que reforçam a alavancagem americana sobre as indústrias chinesas. Os Estados Unidos também restringiram o envio de maquinário utilizado por empresas como TSMC e SK Hynix para instalações chinesas.

A resposta chinesa tem sido aprofundar a estratégia de autossuficiência produtiva. Pequim investe fortemente em pesquisa e desenvolvimento de semicondutores para romper a dependência da litografia EUV.

Especialistas apontam que o tecno-statecraft representa um padrão emergente no comportamento das duas potências. A disputa evidencia como a tecnologia se tornou o principal campo de batalha da rivalidade entre Estados Unidos e China.

Para o Sul Global, o acirramento dessa guerra tecnológica traz implicações profundas. A concentração da produção de semicondutores em poucos países torna o mundo vulnerável a bloqueios e sanções arbitrárias impostas por Washington.

A experiência chinesa serve de alerta para nações que buscam desenvolver capacidades tecnológicas soberanas. A independência das cadeias produtivas estratégicas é essencial para evitar o controle imperialista.

Segundo análise publicada no portal Modern Diplomacy, o poder político dos chips de IA redefine o cenário internacional.

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Pesquisadores da Universidade de Stanford protagonizaram um salto quântico ao criar um dispositivo óptico em nanoescala capaz de operar à temperatura ambiente. O feito elimina a necessidade de sistemas de resfriamento que levavam as máquinas a temperaturas próximas do zero absoluto, um dos maiores obstáculos da computação quântica até agora.

O estudo, publicado em 30 de maio de 2026 na revista Nature Communications, revela uma arquitetura que entrelaça as propriedades da luz e dos elétrons sem a fragilidade dos estados quânticos que exigia congelamento extremo. A nova abordagem, segundo a equipe de Stanford, abre caminho para dispositivos quânticos menores, mais baratos e capazes de transmitir informações a longas distâncias.

A professora de ciência e engenharia de materiais da Universidade de Stanford, Jennifer Dionne, autora sênior do trabalho, destaca que o material empregado não é inédito, mas a engenhosidade está em como ele foi manipulado. ‘O que fizemos foi criar uma conexão de spin muito estável e versátil entre elétrons e fótons, a base teórica da comunicação quântica, superando a rápida perda de spin que normalmente inutiliza esses sistemas’, afirmou Dionne em entrevista ao ScienceDaily.

De acordo com o ScienceDaily, o dispositivo combina uma fina camada padronizada de disseleneto de molibdênio (MoSe2) com um substrato de silício nanopadronizado. O MoSe2 pertence à família dos dicalcogenetos de metais de transição, materiais cobiçados por suas propriedades ópticas e quânticas excepcionais.

O coração do avanço está na chamada ‘luz retorcida’, gerada pelas nanostruturas de silício que fazem os fótons girarem em formato helicoidal. ‘Os fótons giram como um saca-rolhas, e podemos usar esses fótons giratórios para imprimir spin nos elétrons, que são o cerne da computação quântica’, explicou Feng Pan, pesquisador de pós-doutorado no laboratório de Dionne e primeiro autor do artigo.

Pan detalhou que as estruturas padronizadas são imperceptíveis a olho nu, com dimensões comparáveis ao comprimento de onda da luz visível. ‘Mas elas nos permitem manipular os fótons com altíssima precisão, torcendo-os em uma direção específica, para cima ou para baixo, o que é crucial para o emaranhamento quântico’, acrescentou.

A pesquisa também contou com a colaboração de Fang Liu e Tony Heinz, especialistas em materiais TMDC da própria Universidade de Stanford, que ajudaram a selecionar o MoSe2 por suas características quânticas incomuns. A combinação do chip de silício com o material bidimensional gerou um acoplamento de spin intenso entre fótons e elétrons, estabilizando o estado quântico necessário para a comunicação.

Em um computador clássico, a informação é processada em bits que representam apenas zeros ou uns, enquanto os qubits quânticos podem existir simultaneamente em múltiplos estados, acelerando exponencialmente certos cálculos. No entanto, esses estados são extremamente frágeis e suscetíveis ao ruído térmico, o que obrigava os engenheiros a recorrer a sistemas criogênicos para evitar a decoerência — a perda da informação quântica.

O novo dispositivo de Stanford contorna esse gargalo ao confinar a luz retorcida em cavidades ópticas de alto fator de qualidade, amplificando a interação luz-matéria. A arquitetura explora o fenômeno da emissão seletiva de vale, que permite controlar propriedades quânticas com pulsos de luz e mantém o acoplamento de spin estável mesmo à temperatura ambiente.

Segundo o artigo, as nanostruturas de silício funcionam como uma espécie de ‘fábrica de fótons torcidos’, imprimindo uma assinatura helicoidal que se transfere para os elétrons do MoSe2. Essa transferência de spin é o que cria os qubits emaranhados necessários para processar e transmitir informações quânticas sem a parafernália de refrigeração que onera cada vez mais os centros de pesquisa.

A equipe de Stanford enfatiza que o projeto é relativamente barato e compacto se comparado aos sistemas quânticos atuais, que ocupam salas inteiras e custam centenas de milhões de dólares. A miniaturização, afirmam, foi possível graças à própria natureza do chip de silício, um material abundante e já dominado pela indústria de semicondutores.

O emaranhamento entre fótons e elétrons é considerado um requisito fundamental para futuras redes quânticas de comunicação segura, imune a interceptações. Com o dispositivo operando fora do congelamento extremo, vislumbram-se aplicações que vão desde sensores ultraprecisos capazes de detectar variações gravitacionais mínimas até aceleradores de inteligência artificial que processam dados em paralelo com eficiência inalcançável para os supercomputadores clássicos.

Apesar do entusiasmo, os pesquisadores reconhecem que a integração em larga escala demandará melhorias nos componentes periféricos, como fontes, moduladores e detectores ópticos. ‘Ainda precisamos resolver questões de engenharia, mas a prova de conceito é sólida e mostra que é possível ter quantum sem gelo’, comentou Dionne.

O trabalho representa um passo decisivo para a democratização da tecnologia quântica, ao eliminar um dos maiores empecilhos logísticos que mantinham a supremacia computacional restrita a poucos laboratórios. Além das comunicações ultraseguras, a possibilidade de embarcar a computação quântica em dispositivos portáteis, como celulares, acende o debate sobre uma nova era de soberania digital em que países do Sul Global poderiam blindar suas infraestruturas críticas sem depender de sistemas criogênicos importados.

A equipe de Stanford continua aprimorando o dispositivo e investigando outros materiais da família TMDC que possam oferecer desempenho ainda maior. Há também uma aposta em descobrir capacidades quânticas inéditas que só se manifestam fora do frio extremo, o que poderia revelar fenômenos inteiramente novos e, talvez, acelerar o cronograma que projeta a computação quântica no bolso em pouco mais de uma década.

O estudo também demonstra que a utilização de cavidades de alto fator de qualidade — essencialmente minúsculas armadilhas de luz — permite que o MoSe2 emita fótons com uma pureza de spin sem precedentes à temperatura ambiente. Esse controle sobre o estado de polarização e spin é o que torna viável a construção de redes de repetidores quânticos, peças-chave para uma internet quântica global.

Cientistas desenvolveram uma nova arquitetura de detector quântico que utiliza uma metassuperfície para elevar em cerca de vinte vezes a eficiência na captura de radiação terahertz. O avanço, publicado na revista Advanced Photonics e divulgado pelo ScienceDaily, resolve um dos maiores gargalos tecnológicos entre as micro-ondas e a luz infravermelha.

O dispositivo combina o efeito fotoelétrico planar com uma superfície metálica padronizada. Essa estrutura concentra a energia da radiação em minúsculas lacunas capacitivas, canalizando os fótons diretamente para as regiões ativas do detector.

Wladislaw Michailow, pesquisador da Universidade de Cambridge e da Universidade de Swansea, explicou que a metassuperfície foi projetada para acoplar a radiação aos elementos sensores de forma otimizada. A nova arquitetura embute os elementos fotossensíveis nos pontos de campo elétrico máximo, dispensando abordagens tradicionais que ligam vários detectores em paralelo.

Cada lacuna contém um detector do tipo in-plane photoelectric effect, que explora um gás de elétrons bidimensional confinado em estrutura semicondutora. A radiação terahertz transfere energia a esses elétrons, que transpõem um degrau de potencial calibrado, gerando corrente elétrica mensurável.

Ruqiao Xia, doutoranda do Laboratório Cavendish da Universidade de Cambridge, fabricou e mediu os dispositivos. Eles alcançaram uma responsividade de 2,7 ampères por watt em ensaios a 10 kelvin e exposição a ondas de 1,9 terahertz.

O protótipo registrou uma eficiência quântica externa de 2,1%, um salto de aproximadamente vinte vezes em relação aos detectores anteriores. A operação com tensão de polarização zero entre fonte e dreno suprime correntes escuras, eliminando ruídos que prejudicariam a detecção de sinais fracos.

A metassuperfície adota um padrão repetitivo semelhante a um arranjo de tijolos. Sua dupla função é capturar a radiação incidente e confiná-la em fendas onde a interação com os elétrons é mais intensa.

Simulações computacionais ajustaram a largura das lacunas e o espaçamento entre as unidades repetidas. O equilíbrio entre o aprisionamento do campo elétrico e o volume de elétrons disponíveis para gerar fotocorrente foi otimizado.

David Ritchie, chefe do Grupo de Física de Semicondutores da Universidade de Cambridge, destacou a versatilidade da abordagem. A mesma geometria planar pode ser redimensionada para funcionar em uma ampla faixa de frequências, desde micro-ondas até o infravermelho médio.

A fabricação do detector utiliza processos compatíveis com a produção de transistores de efeito de campo. Isso permite a integração direta com a eletrônica de leitura em larga escala, simplificando a montagem e reduzindo custos.

A ausência de componentes ópticos externos elimina a complexidade de alinhamento que historicamente limitou a disseminação da tecnologia terahertz. O dispositivo também pode operar com resfriadores compactos, preenchendo a lacuna entre detectores criogênicos de alta sensibilidade e dispositivos de temperatura ambiente.

Ritchie enfatizou que os resultados abrem caminho para aplicações como redes sem fio de altíssima velocidade, diagnósticos médicos não invasivos e espectroscopia biomédica. O avanço demonstra como a física quântica e a engenharia de materiais podem destravar o potencial da radiação terahertz.

A escalada da agressão imperialista no Oriente Médio provoca efeitos colaterais críticos na economia global, atingindo diretamente a cadeia de suprimentos que sustenta o avanço da inteligência artificial.

Gigantes da tecnologia como a taiwanesa TSMC, fabricante dos chips da Nvidia, e a Foxconn, maior montadora de eletrônicos do mundo, emitiram alertas sobre o impacto da guerra em sua lucratividade e no fornecimento de materiais essenciais.

O hélio, gás crucial para a fabricação de semicondutores, está entre os insumos mais afetados por ser obtido como subproduto da extração de gás natural. O Catar, responsável por mais de 30% do mercado global de hélio, teve sua capacidade de exportação severamente prejudicada, conforme reportou o portal CNBC.

Francisco Jeronimo, analista da consultoria IDC, advertiu que a situação pode se agravar nos próximos trimestres mesmo com possível desescalada do conflito. O especialista destacou que os preços de gás, energia e frete permanecem em máximas históricas.

Além do hélio, materiais como bromo e alumínio também tiveram seu fluxo interrompido, forçando compradores europeus a recorrer a estoques de reserva. A Infineon, fabricante alemã de chips, reconheceu que os custos com metais preciosos, energia e transporte devem subir.

Wendell Huang, diretor financeiro da TSMC, declarou que a companhia está construindo buffers de inventário e diversificando fontes de abastecimento. A estratégia visa desenvolver soluções de fornecimento de múltiplas origens para reduzir riscos.

O grupo suíço VAT Group, fornecedor de componentes para fabricantes de chips, informou que redirecionou embarques e sofreu impacto de 32 milhões de dólares em suas vendas. A companhia afirmou não esperar impacto material significativo em suas projeções para 2026.

Sebastien Naji, analista da William Blair, classificou o aumento dos custos de energia como o problema mais agudo para fabricantes de semicondutores. Especialistas alertam que a continuidade da agressão tende a aprofundar as disrupções em cadeias já fragilizadas.

A indústria de inteligência artificial enfrenta demanda recorde por chips avançados para data centers e processamento de modelos de linguagem. A dependência de materiais concentrados em zonas de conflito revela vulnerabilidade estrutural que pode frear a inovação do setor.

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A Huawei apresentou um avanço no design de semicondutores que permitirá alcançar chips de 1,4 nanômetro até 2031, desafiando as restrições tecnológicas impostas pelos Estados Unidos.

Durante conferência em Xangai, a empresa revelou a metodologia LogicFolding, que empilha circuitos 2D verticalmente como arranha-céus, dispensando máquinas de litografia ultravioleta extrema controladas pelo Ocidente.

As sanções americanas, em vigor desde 2019, bloquearam o acesso da Huawei a fabricantes globais de chips e softwares de design, levando Pequim a investir bilhões na construção de uma cadeia de suprimentos independente.

A nova abordagem prioriza o empilhamento tridimensional de transistores, contornando a dependência de equipamentos ocidentais. Atualmente, a capacidade chinesa mais avançada é de 7 nanômetros, enquanto a TSMC, de Taiwan, opera em 2 nanômetros.

A Huawei também introduziu a Lei de Escala Tau, que otimiza o tempo de deslocamento de dados dentro dos chips por meio da compactação 3D. A proposta rompe com a tradicional Lei de Moore, que orientou a indústria por décadas.

A executiva da empresa demonstrou confiança na viabilidade da tecnologia, indicando que os conceitos já estão em fase de testes. Nos círculos tecnológicos chineses, o anúncio foi comparado ao avanço do modelo de inteligência artificial DeepSeek, que superou sistemas americanos com custo reduzido.

Plataformas chinesas destacaram que as sanções dos EUA aceleraram a inovação doméstica além das previsões de analistas ocidentais. A estratégia da Huawei transforma as restrições em impulso para a autonomia industrial chinesa.

Brady Wang, diretor associado da Counterpoint Research, apontou que custo, energia, calor e integração de sistemas permanecem como desafios no curto prazo para a tecnologia chinesa.

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Pesquisadores da Universidade de Illinois criaram um chip tridimensional de silício monocristalino com três camadas de transistores empilhadas. O avanço, liderado pelo professor Qing Cao, foi detalhado em reportagem do ScienceDaily e promete estender a Lei de Moore além dos limites atuais.

Há seis décadas, a indústria de semicondutores segue a previsão de Gordon Moore, dobrando a densidade de transistores a cada dois anos. Com os componentes se aproximando de escalas atômicas, os limites físicos do silício e efeitos quânticos começaram a restringir esse avanço.

A equipe de Cao optou por construir verticalmente, empilhando múltiplas camadas de circuitos. Essa abordagem, chamada integração tridimensional monolítica, aumenta a capacidade de processamento sem reduzir o tamanho dos transistores e diminui a distância percorrida pelos sinais elétricos.

O principal desafio sempre foi a temperatura, pois a fabricação de silício cristalino exige fornos que chegam a quase 1.000 graus Celsius. Esse calor é suficiente para derreter as conexões metálicas das camadas inferiores já concluídas, limitando a temperatura para camadas adicionais a 400 graus Celsius.

A solução encontrada pela equipe utilizou membranas de silício ultrafinas, com espessura de 10 nanômetros ou menos. Essas membranas são transferidas de um wafer doador para o substrato receptor por meio de um laminador de rolos, processo que não excede 200 graus Celsius.

As membranas preservam a qualidade cristalina do silício original, mantendo desempenho e confiabilidade equivalentes aos transistores convencionais. Para evitar a dopagem tradicional, que requer altas temperaturas, os pesquisadores adotaram transistores junctionless, dopados uniformemente antes do empilhamento.

Os resultados mostraram consistência e alto rendimento de fabricação, entre 98% e 100% nos testes. Protótipos com três camadas empilhadas, cada uma com 625 transistores, apresentaram densidades de corrente de saída três a quatro vezes superiores aos dispositivos fabricados com materiais alternativos.

Cao destacou que o processo atende ao orçamento térmico da integração 3D monolítica usando silício monocristalino padrão. Ele afirmou que é possível empilhar mais camadas, obtendo transistores de alto desempenho com rendimento elevado e baixa variabilidade.

O trabalho foi realizado no Centro de Chips Semicondutores Avançados com Desempenho Acelerado da universidade. O centro conta com parceiros como IBM, Intel e Taiwan Semiconductor Manufacturing Company.

Os pesquisadores preparam a transferência da tecnologia para uma fundição industrial de semicondutores. O financiamento veio da National Science Foundation, dos parceiros industriais e do hub Silicon Crossroads Microelectronics Commons.

A expectativa é que a tecnologia permita a criação de processadores mais densos e eficientes. Isso beneficiará aplicações que vão da inteligência artificial aos data centers que sustentam a infraestrutura digital global.

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A BYD apresentou sua estratégia ‘Dare to Be’ e lançou o Xuanji A3, primeiro chip de direção inteligente de 4 nanômetros desenvolvido na China. Wang Chuanfu, presidente da empresa, afirmou que a segunda fase da eletrificação será dominada pelos semicondutores.

O Xuanji A3 já está em produção e oferece mais de 2.100 TOPS de potência computacional, visando autonomia veicular nos níveis L3 e L4. A BYD destaca que o chip consome 20% menos energia que produtos similares, melhorando a eficiência do sistema.

Segundo o site CleanTechnica, a BYD produz seus próprios semicondutores há 24 anos e é a maior fabricante de chips automotivos da China. O Xuanji A3 foi desenvolvido por 7 mil engenheiros com investimento superior a 100 bilhões de renminbis.

A empresa também anunciou que oferecerá LiDAR como opcional em toda sua linha de veículos por 1.770 dólares. A BYD assumirá responsabilidade integral por acidentes ocorridos com o sistema ‘City Navigation’ ativo, cobrindo danos sem limite de valor.

Essa política de garantia já aumentou o uso do estacionamento autônomo de 21% para 93% das manobras. Atualmente, 3,15 milhões de carros da BYD na China utilizam sistemas de direção inteligente, alimentando dados para aprimoramento contínuo.

A BYD integrou os controladores de cabine, direção e powertrain em um único módulo. A arquitetura satélite envia sinais dos sensores diretamente à unidade central, eliminando pré-processamento local e ampliando a eficiência.

O pacote de sensores inclui LiDAR de estado sólido com 1.000 linhas de resolução e câmeras de 1.000 quadros por segundo. A tecnologia reduz partes móveis e aumenta a confiabilidade, diminuindo o volume do sensor no para-brisa.

Em testes em Pequim, o sistema da BYD mostrou-se seguro, embora menos fluido que o da XPeng. A diferença deve ser superada com o novo chipset de 2.100 TOPS. O bloqueio de semicondutores pelos EUA impulsionou a indústria chinesa a desenvolver seus próprios chips.

A BYD busca zerar acidentes de trânsito com sua tecnologia de direção inteligente. A integração vertical e os dados de mais de 3 milhões de veículos conectados consolidam a liderança chinesa no setor automotivo.

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